1. ПРЕИМУЩЕСТВА:
RS-1200 — это однокомпонентный УФ-отверждаемый травильный резист. Он проявляется в щелочном растворе, стоек в растворах травления и в растворах гальванической металлизации. Используется в сеткографической печати при производстве односторонних, двухсторонних и многослойных печатных плат. Основными преимуществами травящего резиста RS-1200 являются: широкое технологическое окно, высокая светочувствительность, быстрое проявление и хорошая стойкость в растворах финишных покрытий: иммерсионного золота и иммерсионного олова. Легко снимается в щелочных растворах снятия.
Характеристики этого материала лучше, чем у сухого плёночного фоторезиста (СПФ).

(1) Резист жидкий, поэтому им можно заполнить дефектные ямки, вмятины и царапины на поверхности платы.
(2) Толщина плёнки тоньше, чем у сухого плёночного фоторезиста, и составляет 8 ‒ 10 мкм, а разрешающая способность выше и может составлять 50 мкм.
(3) Это фотопроявляемый резист, поэтому с ним нет таких деффектов покрытия, как с нефотопроявляемым: отсутствие посторонних изображений на плате, разрывов и царапин.
(4) Твёрдость слоя может достигать 2H (трудно поцарапать отверждённый слой).

— Однокомпонентный травильный резист
— Идеальная замена сухому плёночному фоторезисту
— Более низкие затраты, чем у СПФ! Цена значительно ниже!
— Сеткографическое нанесение
— Соответствует директиве RoHS
— Высокая светочувствтельность
— Превосходные характеристики проявления
— Широкое технологическое окно
— Высокая разрешающая способность (30 мкм)
— Быстрое снятие

2. ТЕХНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ:

Продукт	RS-1200
Цвет	Синий
Вязкость (25°C VT-04)	70±10 дПа*с
Толщина	≤ 5 мкм
Твёрдость по карандашу	≥ 2Н
Стойкость в гальванических растворах	Медь, никель, олово-свинец
Разрешающая способность	50 мкм
Срок хранения после изготовления производителем	6    месяцев (20 ‒ 30 °C)

3. ПАРАМЕТРЫ ПРОЦЕССА:

Смешивание:

Перемешивание в течение 10 ‒ 15 минут, если необходимо уменьшить вязкость резиста, можно добавить монобутиловый эфир этиленгликоля или другой разбавитель. Процентное содержание разбавителя в резисте должно быть в пределах 4 ‒ 5 %. При использовании другого разбавителя нужно сперва протестировать его.

Подготовка поверхности:

В качестве подготовки поверхности может быть использована химическая подготовка поверхности или механическая щёточная зачистка. Поверхность подготовленных заготовок должна быть сухой

Нанесение:

Сетка: 77 ‒ 100 нитей/см

Угол наклона ракеля: 75˚ ‒ 90˚

Предварительная сушка:

После нанесения следует выдержать заготовки в течение 5 ‒ 10 мин перед предварительной сушкой

Для процесса одновременной сушки только с одной стороны рекомендуются следующие параметры сушильного шкафа:

Сторона 1                       8 ‒ 12 мин при 75 °C

Сторона 2                       15 ‒ 20 мин при 75 °C

Для процесса одновременной сушки сразу с двух сторон рекомендуются следующие параметры сушильного шкафа:

20 ‒ 30 минут при 75 °C

Экспонирование:

Установка экспонирование с интенсивностью излучения 5 ‒ 7 кВт

Энергия экспонирования: 100 ˷ 200 мДж/см²

21-й клин Штоуффера: 8 ‒ 10 ступень

Рабочая температура: ˷ 18 °C

Проявление:

Раствор проявления: 0.8 ‒ 1.0 % раствор Na₂CO₃

Температура раствора: 28 ‒ 32°C

Давление распыления: 2.0 кг/см²

Время проявления: 50 ‒ 60 сек

Травление:

Растворы травления: FeCl₃, CuCl₂, NH₃Cl

Скорость линии травления: 4.0 ‒ 4.5 м/мин

Температура раствора: 48 ‒ 52°C

Время травления: 40 ‒ 50 сек

Давление распыления: 1.5 ‒ 2.0 кг/см²

Удаление:

Раствор удаления: 3.0 ‒ 5.0 % NaOH

Температура раствора: 40 ‒ 50°C

Время снятия: 1 ‒ 2 мин

Давление распыления: 1.5 ‒ 2.0 кг/см² 

ПРИМЕЧАНИЕ:

1. Рекомендуемые условия производственного процесса: в помещении нанесения и экспонирования температура должна находиться в пределах 18 ‒ 25 °C и относительной влажностью 50 ‒ 60 %. Освещение в рабочих помещениях должно быть жёлтым неактиничным.
2. Если необходимо понизить вязкость резиста, используйте специальный раствор для разбавления. Процентное содержание разбавителя должно быть не больше 5 %. Разбавленный резист перемешивайте в течение 3 ‒ 5 минут.
3. Энергия экспонирования должна регулироваться в зависимости от толщины платы и от толщины нанесённой плёнки. Энергия экспонирования должна соответствовать 8 ‒ 10 ступени клина Штоуффера.
4. После нанесения резист должен быть проэкспонирован и проявлен в течение 48 часов.